按照屏蔽原理可以分（fèn）為（wéi）電場屏蔽、磁場屏蔽和（hé）電磁屏蔽。在設計中要（yào）想達到所需的屏蔽性能，需要先明確輻射源、屏蔽範（fàn）圍、再根（gēn）據各個頻段的典型泄漏結構，確定控製要（yào）素，進而選擇合適的屏蔽材料，設計屏蔽殼體。

      屏蔽體的屏蔽效能由兩（liǎng）個部分組成，吸收（shōu）損耗和反射損耗。當電磁波射入到不同媒質的分界麵時，就會（huì）產生（shēng）反射。反射的電磁（cí）波稱為反射損耗，當電磁波在屏蔽體中傳播時就構成了（le）吸收損耗。屏蔽效能 = 吸收損耗( A) + 反射損耗( Ｒ) + 多次反射損耗( B) ，如 圖 1 所示。

1.吸收損（sǔn）耗 A

      吸收損耗是由電磁波的（de）頻率、屏蔽體的相對磁導率和相對電導率共同決定（dìng），單位是 dB，表達式是:

      式中，f 為電磁波頻率( Hz) ，μr、σr 為屏（píng）蔽體相對於銅的相 對 磁 導 率 和 相（xiàng） 對 電 導 率，t 為 屏 蔽 體（tǐ） 壁 厚( mm) 。

      由此可以得出: 同一種屏蔽體，相對磁導（dǎo）率和相對電導率越大，吸收損耗越大，同時，屏蔽（bì）體的厚度越大，吸（xī）收損耗也越大。因此，當頻（pín）率一定（dìng）時，盡（jìn）量選取相對磁導率和相對導電率越大的（de）金屬材料，在條件允許的情況下盡可能增加（jiā）屏蔽體厚度，以提高其吸收（shōu）損耗。 

2.反（fǎn）射損耗 Ｒ

      反射損耗是由屏蔽體（tǐ）表麵處阻抗不連續性引（yǐn）起的，平麵波以（yǐ） dB 為單位的表達式為（wéi）:

      由公式可以得出，電磁波頻率越（yuè）大，反射損（sǔn）耗越少。對（duì）於同一種材料而言，相對磁導率越小和相對電導率越大，反射損耗就（jiù）越大。因此，頻率一定（dìng）時，盡量選擇導磁率小、導電率大的材料以增加反射損耗。 

3. 多次反射損耗 B

      多次反射損耗（hào）是由電磁波在屏蔽體內反複碰到壁麵所產生的損耗。當屏蔽體較（jiào）厚或者頻率較（jiào）高時，屏蔽體吸收損耗較大，這樣當電磁波在屏蔽體經一次傳播（bō）後到達另一個分界麵（miàn）的時候已經衰減很多（duō），經過多次（cì）反射（shè），電磁波能（néng）量將會越（yuè）來越小，一般在吸收損耗大於 15dB，多次損耗可以忽略。當吸收損耗較小，此時多次損（sǔn）耗必須考慮（lǜ）。表達式為: